怎样识别内存型号？

网上有关“怎样识别内存型号？”话题很是火热，小编也是针对怎样识别内存型号？寻找了一些与之相关的一些信息进行分析，如果能碰巧解决你现在面临的问题，希望能够帮助到您。

HY---HYUNDAI 现代

MT---MICRON 美光

GM--- LG-SEMICON

HYB--- SIEMENS 西门子

HM---HITACHI 日立

MB---FUJITSU 富士通

TC---TOSHIBA 东芝

KM---SAMSUNG 三星

KS---KINGMAX 创胜

内存的编号形式,其中我拿现代的做1个例子(大家可以通过标示看出很多东西):

HY 5A B CCC DD E F G H II-JJ

其中5A中的A表示芯片类别,7表示SD内存,D表示DDR内存

B表示内存所需要的电压,V表示3.3V(SD内存);U表示2.5V(DDR内存)

CCC表示容量,如,64,65表示64M,28,129表示128M,56表示256M,12表示512M

DD表示带宽

F表示界面

G表示版本号(如:B表示第3代内存)

H表示电源功耗,(L表示低功耗,空白表示普通)

II表示封装形式

JJ表示速度(7表示143MHZ,75表示133MHZ,8表示125MHZ,10P表示100MHZ)

给大家解释完了,就举个例子来说吧

如:HY57V651620B TC-75

解释为:SD内存,电压3.3V,容量64M,频率133

刚才忘记说了1点，有些新手可能看不懂，其中DD代表带宽，现在经常修的颗粒有8位与16位的，DD在容量后面，如例子所示64M后面的16就表示是16位，如果是8就表示8位

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。

(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：

▲ HY HYUNDAI ------- 现代

▲ MT Micron ------- 美光

▲ GM LG-Semicon

▲ HYB SIEMENS ------ 西门子

▲ HM Hitachi ------ 日立

▲ MB Fujitsu ------ 富士通

▲ TC Toshiba ------ 东芝

▲ KM Samsung ------ 三星

▲ KS KINGMAX ------ 胜创

(2)内存芯片速度编号解释如下:

★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.

★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.

★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.

★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.

★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.

(3) 编 号 形 式

HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj

其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.

b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.

CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.

dd表示带宽。

f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.

g表示版本号，B—第三代。

h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。

ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.

jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;

10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)

10—100MHZ(非PC100)。

例：1） HY57V651620B TC-75

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.

2) HY57V653220B TC-7

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号 品牌 国家/地区 标识 备注

1 三星 韩国 SAMSUNG

2 现代 韩国 HY

3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并

4 迈克龙 美国 MT

5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并

6 日电 日本 NEC

7 日立 日本 HITACHI

8 冲电气 日本 OKI

9 东芝 日本 TOSHIBA

10 富士通 日本 F

11 西门子 德国 SIEMENS

12 联华 台湾 UMC

13 南亚 台湾 NANYA

14 茂矽 台湾 MOSEI

用CPU-Z，查看SPD项 -“周年”

例如：SPD项-周年：09/08，也就是说你的内存是2008年第9周生产的！

一般新内存的生产日期与你的购买日期只是相差1-2个月！如果相差4-5个月就可疑了,很有可能是返修品或者翻新品！

尽量购买品牌较好的内存！有些小厂家的内存用软件看不见生产日期的！

购买到二手翻新内存无法享受厂家正常质保等保障

（现在新内存都贴有涂层防伪码，在购买新内存后当场刮开内存的防伪码，拨打内存上的防伪电话查询）

想添内存条，主板Colorful Technology And Development Co.,LTD C.N78G D3 ，求推荐

（1）1.5G和3.25G在XP下平时没区别，但是如果运行高端网游（比如虚幻三引擎），或中端单机会非常吃力。

（2）双通道对inter有较大提升，而AMD250因为其K10构架自带内存控制器，所以提升在5%以内。

（3）是否能组建成功需要看内存上的颗粒，其实也是PR。

我不建议你组双通道。另外，你说你TC了512内存给显卡。我建议不要这样。（你没说你的显卡是什么）如果你的显卡本身有512或者256，那么已经足够了你肚子大喉咙小也没用。如果是128显存的，可以移256给显卡。

如果你卡是512的。那么我建议你不要加内存了。

内存条DDR1在单位时间内一次处理2次，DDR2单位时间内一次处理4次，那DDR3呢，他们之间区别？

这是七彩虹C.N78G D3的主板，支持双通道DDR3 1333MHz内存,只要是DDR3的内存均可，一般选择金士顿/三星/威刚均可，可以选择1333MHz的内存或者1600MHz都可以，具体上京东或者天猫或者苏宁易购等等地方看看，最近内存小涨，135是不够了，150元左右吧

DDR2/3/4/5和DDR1一样，每周期传输2次数据，内存只存储数据，不处理数据，也没有DDR1处理2次数据，DDR2处理4次数据的说法。简单总结一下一些颗粒的区别，DDR4/5现在只有显存颗粒（GDDR4/5），没有内存颗粒：

SDR：每周期传1次数据，预读取位数是2bit，单颗芯片位宽4bit；

DDR：每周期传2次数据，预计取位数是2bit，单颗芯片位宽8bit；

DDR2：每周期传2次数据，预读取位数是4bit，单颗芯片位宽16bit；

DDR3：每周期传2次数据，预读取位数8bit，DDR3单颗芯片16bit，GDDR3为32bit；

DDR4：每周期传2次数据，预读取位数8bit，GDDR4单颗芯片32bit；

DDR5：每周期传2次数据，预读取位数8bit，GDDR5单颗芯片32bit，双总线技术（类似于双通道）。

可以看出，几代颗粒的发展思路都是，在保证较低的内核频率的基础上提高等效时钟频率。

内核频率*预计取位数=I/O频率；

I/O频率*每周期传输次数=等效时钟频率（DDR5采用双总线技术，就在此基础上再*2）。

较低的内核频率可以有效控制芯片的功耗和电压，也有利于提高芯片的成品率。

比如GDDR5-3600MHz，内核频率为3600/2/2/8=112.5MHz，比DDR2-1000MHz的内核频率还要低。（DDR2-1000MHz的内核频率为125MHz）

至于单颗芯片的位宽提升，则可以减少芯片的使用数量；

内存位宽=单颗位宽*颗粒数量；

内存容量=数据深度*单颗位宽/8；

比如8颗16X32的GDDR3显存，其容量为512M，位宽为256位。

比如同样是64位的内存位宽，DDR需要使用8颗芯片，而DDR2则可以使用4颗芯片（当然，有内存叠加技术，一根64位的内存条也可以使用8颗或16颗芯片，在保证位宽不变的情况下可以增大内存容量），有利于降低成本。

关于“怎样识别内存型号？”这个话题的介绍，今天小编就给大家分享完了，如果对你有所帮助请保持对本站的关注！